International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80P04P4L08ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB80P04P4L08ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB80P04P4L08ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 120µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3-2
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

75W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SP000840208
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB80P04P4L08ATMA1" -Einziper.

IPB80R290C3AATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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