International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R199CPATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB60R199CPATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB60R199CPATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 660µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3-2
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

199 mOhm @ 9.9A, 10V
Verlustleistung (max)

139W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB60R199CPATMA1CT
IPB60R199CPCT
IPB60R199CPCT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1520pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 16A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB60R199CPATMA1" -Einziper.

IPB60R380C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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