International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R120P7ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB60R120P7ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB60R120P7ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 410µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 8.2A, 10V
Verlustleistung (max)

95W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB60R120P7
IPB60R120P7ATMA1-ND
IPB60R120P7ATMA1TR
SP001664922
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1544pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

26A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB60R120P7ATMA1" -Einziper.

IPB60R180P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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