International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB017N10N5ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB017N10N5ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB017N10N5ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.8V @ 279µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-7
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

375W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Andere Namen

IPB017N10N5ATMA1TR
SP001227028
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB017N10N5ATMA1" -Einziper.

IPB017N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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