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FF800R17KE3NOSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FF800R17KE3NOSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MODULE VCES 1200V 800A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1700V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 800A
  • Supplier Device-Gehäuse
    Module
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    4450W
  • Verpackung / Gehäuse
    Module
  • Andere Namen
    FF800R17KE3
    FF800R17KE3-ND
    SP000100585
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    36 Weeks
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    72nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module 2 Independent 1700V 4450W Chassis Mount Module
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    5mA
  • Konfiguration
    2 Independent
MWI35-12A7

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Beschreibung: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2

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FF800R17KF6CB2NOSA2

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Beschreibung: IGBT MODULE 1700V 800A

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Hersteller: Microsemi
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Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 800A

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Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 800A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 800A

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