F475R07W2H3B51BPSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

F475R07W2H3B51BPSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

F475R07W2H3B51BPSA1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 37.5A
Supplier Device-Gehäuse

Module
Serie

-
Leistung - max

250W
Verpackung / Gehäuse

Module
Andere Namen

SP001602682
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor

Yes
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE

4.7nF @ 25V
Eingang

Standard
IGBT-Typ

-
detaillierte Beschreibung

IGBT Module Three Phase Inverter 650V 75A 250W Chassis Mount Module
Strom - Collector Cutoff (Max)

1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

75A
Konfiguration

Three Phase Inverter

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Das Folgende sind "F475R07W2H3B51BPSA1" -Einziper.

F472K69S3NN63J0R

Beschreibung: CAP CER 4700PF 1KV S3N RADIAL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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