F3L400R07ME4B23BOSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

F3L400R07ME4B23BOSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT MODULE VCES 650V 400A
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

F3L400R07ME4B23BOSA1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 400A
Supplier Device-Gehäuse

Module
Serie

-
Leistung - max

1150W
Verpackung / Gehäuse

Module
Andere Namen

F3L400R07ME4_B23
F3L400R07ME4_B23-ND
SP000893970
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C
NTC-Thermistor

Yes
Befestigungsart

Chassis Mount
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE

26nF @ 25V
Eingang

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 650V 450A 1150W Chassis Mount Module
Strom - Collector Cutoff (Max)

1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

450A
Konfiguration

2 Independent

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Das Folgende sind "F3L400R07ME4B23BOSA1" -Einziper.

F3L300R12MT4PB23BPSA1

Beschreibung: MEDIUM POWER ECONO

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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