F3L100R07W2E3B11BOMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

F3L100R07W2E3B11BOMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT MODULE VCES 600V 200A
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

F3L100R07W2E3B11BOMA1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse

Module
Serie

-
Leistung - max

300W
Verpackung / Gehäuse

Module
Andere Namen

F3L100R07W2E3_B11
F3L100R07W2E3_B11-ND
SP000638564
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C
NTC-Thermistor

Yes
Befestigungsart

Chassis Mount
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE

6.2nF @ 25V
Eingang

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 650V 117A 300W Chassis Mount Module
Strom - Collector Cutoff (Max)

1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

117A
Konfiguration

Three Phase Inverter

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Das Folgende sind "F3L100R07W2E3B11BOMA1" -Einziper.

F3L200R07PE4BOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE VCES 650V 200A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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