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DF1000R17IE4DB2BOSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DF1000R17IE4DB2BOSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MODULE 1700V 1000A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1700V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 1000A
  • Supplier Device-Gehäuse
    Module
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    6250W
  • Verpackung / Gehäuse
    Module
  • Andere Namen
    DF1000R17IE4D_B2
    DF1000R17IE4D_B2-ND
    SP000823694
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    26 Weeks
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    81nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Single 1700V 6250W Chassis Mount Module
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    5mA
  • Konfiguration
    Single
DF10-26S-2DSA(62)

DF10-26S-2DSA(62)

Beschreibung: CONN 26PIN THRU HOLE

Hersteller: Hirose
vorrätig
DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
DF10M/45

DF10M/45

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V 4DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DF1/CABLE-CRIMPER

DF1/CABLE-CRIMPER

Beschreibung: TOOL HAND IMPACT RECT IDC CONN

Hersteller: Hirose
vorrätig
DF10MA-E3/45

DF10MA-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DF10-31S-2DSA(62)

DF10-31S-2DSA(62)

Beschreibung: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Hersteller: Hirose
vorrätig
DF10G5M4N,LF

DF10G5M4N,LF

Beschreibung: TVS DIODE 3.6V 24V 10DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
DF10-31S-2DSA(59)

DF10-31S-2DSA(59)

Beschreibung: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Hersteller: Hirose
vorrätig
DF10-31S-2DSA(68)

DF10-31S-2DSA(68)

Beschreibung: CONN 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Hersteller: Hirose
vorrätig
DF10G7M1N,LF

DF10G7M1N,LF

Beschreibung: TVS DIODE 5V 12V 10DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
DF10M-E3/45

DF10M-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DF10-29S-2DSA(62)

DF10-29S-2DSA(62)

Beschreibung: CONN 29PIN THRU HOLE

Hersteller: Hirose
vorrätig
DF1/AIR-PRESS/AP508

DF1/AIR-PRESS/AP508

Beschreibung: TOOL BENCH PRESS RECT IDC CONN

Hersteller: Hirose
vorrätig
DF10-G

DF10-G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
DF100R07W1H5FPB54BPSA2

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Beschreibung: LOW POWER EASY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DF10M

DF10M

Beschreibung: DIODE BRIDGE 1000V 1.5A 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Beschreibung: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE 1700V 1000A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DF1/PRESS/HP513

DF1/PRESS/HP513

Beschreibung: TOOL HAND PRESS RECT IDC CONN

Hersteller: Hirose
vorrätig
DF10M

DF10M

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
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