6220367

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP89L6327HTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSP89L6327HTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSP89L6327HTSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.8V @ 108µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 350mA, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

BSP89L6327
BSP89L6327HTSA1CT
BSP89L6327INCT
BSP89L6327INCT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

240V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 240V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

350mA (Ta)

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Das Folgende sind "BSP89L6327HTSA1" -Einziper.

BSP88L6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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