International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP322PH6327XTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSP322PH6327XTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSP322PH6327XTSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 380µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

BSP322PH6327XTSA1TR
SP001058784
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

372pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 100V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1A (Tc)

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Das Folgende sind "BSP322PH6327XTSA1" -Einziper.

BSP321PL6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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