International Rectifier (Infineon Technologies)

BSF083N03LQ G

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Spezifikation

Artikelnummer

BSF083N03LQ G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSF083N03LQ G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.2W (Ta), 36W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-WDSON
Andere Namen

BSF083N03LQ G-ND
BSF083N03LQG
SP000597834
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 13A (Ta), 53A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Ta), 53A (Tc)

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Das Folgende sind "BSF083N03LQ G" -Einziper.

BSF024N03LT3GXUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSF083N03LQ G

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