International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC889N03LSGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC889N03LSGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC889N03LSGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 28W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC889N03LS G
BSC889N03LS G-ND
BSC889N03LS GTR-ND
BSC889N03LSG
BSC889N03LSGATMA1TR
SP000475952
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 13A (Ta), 45A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Ta), 45A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC889N03LSGATMA1" -Einziper.

BSC750N10NDGATMA1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC889N03LSGATMA1

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