International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC105N10LSFGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC105N10LSFGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC105N10LSFGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 110µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

156W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC105N10LSF G
BSC105N10LSF G-ND
BSC105N10LSFGATMA1TR
SP000388502
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.4A (Ta), 90A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC105N10LSFGATMA1" -Einziper.

BSC106N025S G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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