BCR135E6327HTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BCR135E6327HTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BCR135E6327HTSA1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

BCR 135 E6327
BCR 135 E6327-ND
BCR 135 E6327TR-ND
BCR135E6327
BCR135E6327BTSA1
BCR135E6327HTSA1TR
BCR135E6327XT
SP000010765
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

150MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

BCR135

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Das Folgende sind "BCR135E6327HTSA1" -Einziper.

BCR133SH6327XTSA1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BCR135E6327HTSA1

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