AUIRL7766M2TR

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Spezifikation

Artikelnummer

AUIRL7766M2TR
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AUIRL7766M2TR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 150µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ M4
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 31A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric M4
Andere Namen

SP001516036
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5305pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ M4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "AUIRL7766M2TR" -Einziper.

AUIRLL024Z

Beschreibung: MOSFET NCH 55V 5A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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