International Rectifier (Infineon Technologies)

AUIRF7675M2TR

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Spezifikation

Artikelnummer

AUIRF7675M2TR
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AUIRF7675M2TR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ M2
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

56 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

2.7W (Ta), 45W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric M2
Andere Namen

SP001522164
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ M2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.4A (Ta), 18A (Tc)

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Das Folgende sind "AUIRF7675M2TR" -Einziper.

AUIRF7478QTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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