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65DN06ELEMPRXPSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    65DN06ELEMPRXPSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 8470A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    980mV @ 10000A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-200AB, B-PUK
  • Andere Namen
    65DN06 ELEM PR
    65DN06 ELEM PR-ND
    SP000090406
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 180°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 8470A Chassis Mount
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100mA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    8470A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
SF42GHB0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD

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1N3912R

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Hersteller: Microsemi
vorrätig
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8470A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3.3A C16

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung:

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SF5403-TR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NRVTSAF360T3G

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Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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