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2PS06017E32G28213NOSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2PS06017E32G28213NOSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MODULE 1100VDC 325A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    Module
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    Module
  • Andere Namen
    2PS06017E32G28213
    2PS06017E32G28213-ND
    SP000264180
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 55°C
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module 2 Independent Chassis Mount Module
  • Konfiguration
    2 Independent
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Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Hersteller: Microsemi
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Beschreibung: CONN BARRIER STRIP 2CIRC 0.375"

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Beschreibung: CONN BARRIER STRIP 2CIRC 0.375"

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Beschreibung: CONN BARRIER STRIP 2CIRC 0.375"

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Beschreibung: MODULE IGBT STACK A-PS4-1

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2PSWS

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Beschreibung: CONN BARRIER STRIP 2CIRC 0.375"

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Hersteller: Microsemi
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2PS18012E44G40113NOSA1

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Beschreibung: MODULE IGBT STACK A-PS4-1

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Beschreibung: MODULE IGBT STACK A-PS3-1

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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2PSWT

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Beschreibung: CONN BARRIER STRIP 2CIRC 0.375"

Hersteller: Curtis Industries
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2PS13512E43W43079NOSA1

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Beschreibung: STACKS IPM

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