Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXFN24N100F
Online-Anfrage
Deutsch
6995808IXFN24N100F-Bild.IXYS RF

IXFN24N100F

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$37.15
10+
$34.738
30+
$32.128
100+
$30.12
250+
$28.112
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXFN24N100F
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerRF™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 12A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    600W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1000V 24A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    24A (Tc)
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN26N100P

IXFN26N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN24N100

IXFN24N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Beschreibung:

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

Beschreibung: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN27N80

IXFN27N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN26N90

IXFN26N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN280N085

IXFN280N085

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN23N100

IXFN23N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN280N07

IXFN280N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN25N90

IXFN25N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Beschreibung: FET N-CHANNEL

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN230N10

IXFN230N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden