IXTX6N200P3HV

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Spezifikation

Artikelnummer

IXTX6N200P3HV
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei durch Freistellung / RoHS-konform
Datenblätte

IXTX6N200P3HV.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247PLUS-HV
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

960W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free by exemption / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

2000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 2000V 6A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247PLUS-HV
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTX6N200P3HV" -Einziper.

IXTX240N075L2

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation

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