IXTX110N20L2

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Spezifikation

Artikelnummer

IXTX110N20L2
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTX110N20L2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PLUS247™-3
Serie

Linear L2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (max)

960W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

500nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

110A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTX110N20L2" -Einziper.

IXTV36N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220

Hersteller: IXYS Corporation

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