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4612502IXTP8N50P-Bild.IXYS Corporation

IXTP8N50P

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXTP8N50P
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    PolarHV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    800 mOhm @ 4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    150W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1050pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)
TX40AB00-1216

TX40AB00-1216

Beschreibung: CONN BACKSHELL ADPT SZ 13C OLIVE

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
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