IXTN600N04T2

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Spezifikation

Artikelnummer

IXTN600N04T2
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTN600N04T2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227B
Serie

GigaMOS™, TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

940W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

590nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 600A (Tc) 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

600A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTN600N04T2" -Einziper.

IXTN22N100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

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IXTN600N04T2

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