IXFT30N85XHV

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFT30N85XHV
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 850V 30A TO268
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFT30N85XHV.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-268 (IXFT)
Serie

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

220 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

695W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

850V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 850V 30A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFT30N85XHV" -Einziper.

IXFT26N60Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

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IXFT30N85XHV

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