IXFR15N100Q3

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFR15N100Q3
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFR15N100Q3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ISOPLUS247™
Serie

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 7.5A, 10V
Verlustleistung (max)

400W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 10A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFR15N100Q3" -Einziper.

IXFR140N30P

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation

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IXFR15N100Q3

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