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4202659IXFN80N50-Bild.IXYS Corporation

IXFN80N50

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    IXFN80N50
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    700W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    9890pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    380nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 66A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    66A (Tc)
IXFN94N50P2

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Beschreibung: 500V POLAR2 HIPERFETS

Hersteller: IXYS Corporation
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IXFN73N30

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IXFN73N30Q

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IXFN80N60P3

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IXFN80N48

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IXFN82N60Q3

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IXFP102N15T

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IXFN72N55Q2

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IXFN80N50Q3

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IXFN70N120SK

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IXFN82N60P

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IXFN80N50P

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IXFN70N60Q2

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IXFN80N50Q2

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Beschreibung:

Hersteller: IXYS Corporation
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IXFN66N50Q2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

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IXFN66N85X

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Hersteller: IXYS Corporation
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IXFN90N30

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Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B

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IXFN64N50PD3

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Hersteller: IXYS Corporation
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IXFN64N60P

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227

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