IXFN150N65X2

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFN150N65X2
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFN150N65X2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227B
Serie

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)

1040W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Andere Namen

632512
IXFN150N65X2X
IXFN150N65X2X-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

355nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

145A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFN150N65X2" -Einziper.

IXFN120N25

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

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