IXFK320N17T2

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFK320N17T2
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 170V 320A TO264
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFK320N17T2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-264AA (IXFK)
Serie

GigaMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)

1670W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

640nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

170V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 170V 320A (Tc) 1670W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

320A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFK320N17T2" -Einziper.

IXFK26N60Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 26A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation

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IXFK320N17T2

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