IXFH14N100Q2

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFH14N100Q2
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFH14N100Q2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AD (IXFH)
Serie

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

950 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

500W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

608166
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 14A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFH14N100Q2" -Einziper.

IXFH140N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFH14N100Q2

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