IXFH110N15T2

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFH110N15T2
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFH110N15T2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AD (IXFH)
Serie

TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

480W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

110A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFH110N15T2" -Einziper.

IXFH10N100Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD

Hersteller: IXYS Corporation

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