FDM100-0045SP

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Spezifikation

Artikelnummer

FDM100-0045SP
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDM100-0045SP.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ISOPLUS i4-PAC™
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

i4-Pac™-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 100A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "FDM100-0045SP" -Einziper.

FDMA1025P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MLP2X2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDM100-0045SP

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