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5096476DNA30E2200PC-Bild.IXYS Corporation

DNA30E2200PC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DNA30E2200PC
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.26V @ 30A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    2200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263 (D²Pak)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 2200V 30A Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    40µA @ 2200V
  • Strom - Richt (Io)
    30A
  • Kapazität @ Vr, F
    7pF @ 700V, 1MHz
BAS386-TR

BAS386-TR

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
V2FM15HM3/H

V2FM15HM3/H

Beschreibung: 2A,150V,SMF,TRENCH SKY RECT.

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
60S10-TP

60S10-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
FR207GTA

FR207GTA

Beschreibung: DIODE GPP 1KV 2A DO15

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
DNA30E2200FE

DNA30E2200FE

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

Hersteller: IXYS
vorrätig
DNA30EM2200PZ

DNA30EM2200PZ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
DNA30E2200PC-TUB

DNA30E2200PC-TUB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS
vorrätig
MUR220RLG

MUR220RLG

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSF8GT-E3/45

NSF8GT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
5821SMJ/TR13

5821SMJ/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
DNA30E2200PZ

DNA30E2200PZ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
FR205-TP

FR205-TP

Beschreibung: DIODE GPP GAST 2A DO-15

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
DNA30E2200PA

DNA30E2200PA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC

Hersteller: IXYS
vorrätig
UGA8120HC0G

UGA8120HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
FSV15120V

FSV15120V

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SL02-M-08

SL02-M-08

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V DO219-M

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
F1T4G A1G

F1T4G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
DNA30EM2200PC

DNA30EM2200PC

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MBR16150 C0G

MBR16150 C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 16A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
3A100HA0G

3A100HA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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