IS61NLF102418-6.5B3I

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61NLF102418-6.5B3I
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS61NLF102418-6.5B3I.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

165-TFBGA (13x15)
Serie

-
Verpackung / Gehäuse

165-TBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 133MHz 6.5ns 165-TFBGA (13x15)
Uhrfrequenz

133MHz
Zugriffszeit

6.5ns

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Das Folgende sind "IS61NLF102418-6.5B3I" -Einziper.

IS61NLF102418-7.5TQLI-TR

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61NLF102418-6.5B3I

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