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IS49RL36160-107EBLI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS49RL36160-107EBLI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS49RL36160-107EBLI.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.28 V ~ 1.42 V
  • Technologie
    DRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    168-LBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    576Mb (16M x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 933MHz 8ns 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
  • Uhrfrequenz
    933MHz
  • Zugriffszeit
    8ns

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IS49RL18320-125BL

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49RL36160-125EBLI

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49RL18320-107BL

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49RL36160-125BL

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IS49RL18320-125EBL

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IS49RL36160-093BLI

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IS49RL18320-107EBLI

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