ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS49NLC93200-33WBLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS49NLC93200-33WBLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS49NLC93200-33WBLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

DRAM
Supplier Device-Gehäuse

144-TWBGA (11x18.5)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

144-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

288Mb (32M x 9)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

DRAM Memory IC 288Mb (32M x 9) Parallel 300MHz 20ns 144-TWBGA (11x18.5)
Uhrfrequenz

300MHz
Zugriffszeit

20ns

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Das Folgende sind "IS49NLC93200-33WBLI" -Einziper.

IS49NLC36800-33WBLI

Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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IS49NLC93200-33WBLI

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