ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43LD16640C-18BLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS43LD16640C-18BLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS43LD16640C-18BLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.14 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Supplier Device-Gehäuse

134-TFBGA (10x11.5)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

134-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-TFBGA (10x11.5)
Uhrfrequenz

533MHz

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Das Folgende sind "IS43LD16640C-18BLI" -Einziper.

IS43LD16640A-25BL-TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS43LD16640C-18BLI

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