ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43DR86400D-3DBI-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS43DR86400D-3DBI-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IS43DR86400D-3DBI-TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse

60-TWBGA (8x10.5)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

60-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5)
Uhrfrequenz

333MHz
Zugriffszeit

450ps

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Das Folgende sind "IS43DR86400D-3DBI-TR" -Einziper.

IS43DR86400C-3DBI

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

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