ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42VM32160D-75BLI-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42VM32160D-75BLI-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS42VM32160D-75BLI-TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile
Supplier Device-Gehäuse

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

133MHz
Zugriffszeit

6ns

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Das Folgende sind "IS42VM32160D-75BLI-TR" -Einziper.

IS42VM32100D-75BLI-TR

Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS42VM32160D-75BLI-TR

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