ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S86400F-7TLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42S86400F-7TLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS42S86400F-7TLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

706-1420
706-1420-5
706-1420-5-ND
IS42S86400F-7TLI-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
Uhrfrequenz

143MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "IS42S86400F-7TLI" -Einziper.

IS42S86400F-6TLI

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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