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741707IS42S32400E-6TLI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32400E-6TLI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS42S32400E-6TLI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IS42S32400E-6TLI.pdf
    2.IS42S32400E-6TLI.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    86-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 86-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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Das Folgende sind "IS42S32400E-6TLI" -Einziper.
IS42S32400F-6B

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

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vorrätig
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IS42S32400D-7T

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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vorrätig
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32400E-6BL-TR

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IS42S32400E-7TLI

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IS42S32400D-7TI

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