ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16800E-6BLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42S16800E-6BLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.IS42S16800E-6BLI.pdf
2.IS42S16800E-6BLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TFBGA (8x8)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

54-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "IS42S16800E-6BLI" -Einziper.

IS42S16800E-6TL-TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS42S16800E-6BLI

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