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6898690IS42S16800D-75EBLI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16800D-75EBLI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS42S16800D-75EBLI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-MiniBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 6.5ns 54-MiniBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    6.5ns
IS42S16800D-75EBL

IS42S16800D-75EBL

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS42S16800D-75ETL

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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IS42S16800D-6T

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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IS42S16400J-7TL

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IS42S16800D-75EBL-TR

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IS42S16800D-7TI

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IS42S16800D-75ETLI

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IS42S16800D-7T

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IS42S16800D-7B

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