ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS41LV16256C-35TLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS41LV16256C-35TLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS41LV16256C-35TLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

DRAM - EDO
Supplier Device-Gehäuse

40-TSOP
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

DRAM - EDO Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 18ns 40-TSOP
Zugriffszeit

18ns

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "IS41LV16256C-35TLI" -Einziper.

IS42RM16160D-7BL-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS41LV16256C-35TLI

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