IDT71V67602S166BQI

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Spezifikation

Artikelnummer

IDT71V67602S166BQI
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IDT71V67602S166BQI.pdf
2.IDT71V67602S166BQI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

165-CABGA (13x15)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-TBGA
Andere Namen

71V67602S166BQI
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 166MHz 3.5ns 165-CABGA (13x15)
Uhrfrequenz

166MHz
Basisteilenummer

IDT71V67602
Zugriffszeit

3.5ns

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Das Folgende sind "IDT71V67602S166BQI" -Einziper.

IDT71V67603S133PF

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

IDT71V67602S166BQI

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