IDT71V67602S133BG8

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Spezifikation

Artikelnummer

IDT71V67602S133BG8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IDT71V67602S133BG8.pdf
2.IDT71V67602S133BG8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

119-PBGA (14x22)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

119-BGA
Andere Namen

71V67602S133BG8
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 119-PBGA (14x22)
Uhrfrequenz

133MHz
Basisteilenummer

IDT71V67602
Zugriffszeit

4.2ns

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Das Folgende sind "IDT71V67602S133BG8" -Einziper.

IDT71V65903S85PF8

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

IDT71V67602S133BG8

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