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21674IDT71V416VL12Y8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71V416VL12Y8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDT71V416VL12Y8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    71V416VL12Y8
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
  • Basisteilenummer
    IDT71V416
  • Zugriffszeit
    12ns
M24LR64-RDW6T/2

M24LR64-RDW6T/2

Beschreibung: NFC/RFID 64KBIT EEPROM 13.56MHZ

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig

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