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701704IDT71V3557SA80BQ-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71V3557SA80BQ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDT71V3557SA80BQ
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-CABGA (13x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-TBGA
  • Andere Namen
    71V3557SA80BQ
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4.5Mb (128K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 8ns 165-CABGA (13x15)
  • Basisteilenummer
    IDT71V3557
  • Zugriffszeit
    8ns
IRFH4257DTRPBF

IRFH4257DTRPBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

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