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3906635IDT70P3307S233RMI-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

IDT70P3307S233RMI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDT70P3307S233RMI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
  • Supplier Device-Gehäuse
    576-FCBGA (25x25)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    576-BBGA, FCBGA
  • Andere Namen
    70P3307S233RMI
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (1M x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25)
  • Uhrfrequenz
    233MHz
  • Basisteilenummer
    IDT70P3307
  • Zugriffszeit
    7.2ns
74VHCT240ATTR

74VHCT240ATTR

Beschreibung: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig

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