71V632S5PFGI8

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Spezifikation

Artikelnummer

71V632S5PFGI8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

71V632S5PFGI8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.63 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

100-TQFP (14x14)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

100-LQFP
Andere Namen

IDT71V632S5PFGI8
IDT71V632S5PFGI8-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Mb (64K x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 32) Parallel 100MHz 5ns 100-TQFP (14x14)
Uhrfrequenz

100MHz
Basisteilenummer

IDT71V632
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "71V632S5PFGI8" -Einziper.

71V632S5PFG8

Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

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